4-2 식각 공정) Si, SiO2의 습식 식각 물질
습식 식각 Processing gases 습식 식각은 선택비가 매우 좋고 Batch 공정이 가능하여 생산성이 높다는 장점이 있습니다. 하지만 '등방성'이기 때문에 2um 이하의 패턴은 구현하지 못한다는 단점으로 인해 쓰이지 않고 있죠. 요즘 trend는 습식 식각 + 건식 식각을 합친 식각 방법(RIE)이 쓰이기 때문에 습식 식각의 Etch gas는 아셔야 합니다. Etch gas atom Target Etching Gas Etch product(휘발성 높음) F Si, SiO2, Si3N4 CF4, C2F6, SF6, NF3 SiF4, Si2F6 Cl Si CL2, CCl2F2 SiCl2, SiCl4 Cl Al BCl3, CCl4, Cl2 AlCl3, Al2Cl6 O Organic solids (탄소로..
2022. 11. 22.
