반도체 8대 공정/5-1. Ion implantation1 5-1. 이온 주입 공정) 반도체 이온 주입 공정 (도핑 공정) 실리콘 공정, 산화 공정, 포토 공정, 식각 공정에 이어 이온 주입 공정에 대해서 설명해 드리겠습니다. Abstract 확산 공정 이온 주입 공정 장점 - 1. 이방성(패터닝 용이) 2. 도핑 농도 쉽게 조절 가능 3. 도핑 위치(depth) 쉽게 조절 가능 4, 낮은 온도 공정 단점 1. 등방성 2. 높은 온도 필요(공정 cost 올라감) 1. 격자 파괴로 인한 열처리 필수 불순물 도핑의 개념 반도체 내에 조절 가능한 양의 불순물 도판트를 투입하는 공정입니다. 이를 통해 반도체의 전기적 특성이 변합니다. 불순물 도핑 용도 1. Well formation CMOS 공정에서 n-well, p-well를 만들 때 사용합니다. (B를 도핑하면 p-well, P를 도핑하면 n-well) 2. Source - D.. 2022. 10. 15. 이전 1 다음 반응형
