반도체 공학43 LED 소재, 질화물 반도체, 조성 조절 with Vegard's law, AlN buffer LED 소재 연구광 반도체는 주로 Ⅲ-N, Ⅲ-Ⅴ족 중 직접천이형 화합물 반도체를 사용하여 제작합니다. Silicon 같은 Ⅳ 족 반도체는 간접천이형으로 빛을 냄과 동시에 열 발생으로 소자 degradation이 되기 때문이죠. LED의 Mechanism은 다음과 같습니다. 2024.09.18 - [반도체 공학/LED 공학] - Electroluminescence(EL) 역사, LED 발광 Mechanism, LED 연구 방향성 Electroluminescence(EL) 역사, LED 발광 Mechanism, LED 연구 방향성아름다운 빛을 통해 세상을 밝혀주는 LED 관련하여 공부해 보도록 하겠습니다.LED란?LED(Light Emitting Diode)란 철자 그대로 빛을 방출하는 반도체 소자(PN .. 2024. 9. 18. Electroluminescence(EL) 역사, LED 발광 Mechanism, RED LED History, 사성분계 AlGaInP LED 아름다운 빛을 통해 세상을 밝혀주는 LED 관련하여 공부해 보도록 하겠습니다.LED란?LED(Light Emitting Diode)란 철자 그대로 빛을 방출하는 반도체 소자(PN 접합 다이오드)입니다.백열등에 비해 약 20배 높은 효율, 형광등에 비해 약 5배 높은 효율과 낮은 전력 소비 감소가 큰 장점으로 현재 상용화되어 있는 빛을 내는 소자입니다. 발광 메커니즘 발광 메커니즘은 크게 3가지로 나뉩니다. Cathodoluminescence (CL) : 전자가 형광체 등의 luminescent 물질과 충돌하여 빛을 방출합니다. 전자총으로 형광체를 때려 광을 내는 브라운관이 대표적인 예시이죠.Photoluminescence (PL) : 빛(Photon)을 흡수한 가전자대의 전자가 전도대로 여기, 다시 안정.. 2024. 9. 18. 반도체 물성과 소자) MOS Capacitor와 문턱전압 2022.10.28 - [반도체 공학/반도체 소자 이론] - 반도체 물성과 소자) 11. MOSFET의 원리 (MOS 구조) 지난번에 MOS Cap에 대해서 설명을 해드렸죠. 설명이 조금 부실한 것 같아서 오늘은 에너지 밴드를 토대로 MOS Cap의 동작 원리에 대해 설명해 드리겠습니다. 이를 연계하여 문턱전압을 설명해 드리고 마치도록 하겠습니다. MOS Capacitor MOSFET은 그림과 같이 MOS Cap 구조에 source와 drain 층이 추가된 트랜지스터입니다. MOS Capacitor의 mechanism에 대해 정확히 이해하면 MOSFET에 대해 깊은 이해가 가능해집니다. Metal, Oxide, p-Si로 구성되어 있는 MOS Cap에 대해 알아보겠습니다. gate에 양전압을 인가하면 o.. 2023. 2. 2. 2. 발광 재결합 전자와 정공이 재결합되면서 밴드갭만큼의 에너지를 가진 빛이 방출된다고 말씀드렸습니다. 이러한 발광 재결합의 메카니즘을 수식을 이용하여 자세히 설명해 드리겠습니다. 이번 포스팅 글의 순서는 다음과 같습니다. - 전자, 정공의 농도의 이해를 통해 재결합 속도 규명 재결합의 식을 규명하기 위해 pn junction에서 전자, 정공의 농도를 먼저 이해하셔야 합니다. 전자, 정공의 농도 p형에서 전체 정공 농도는 평형상태의 정공 농도 + 추가적으로 투입(도핑)한 정공의 농도입니다. n형에서 전체 전자 농도는 평형상태의 전자 농도 + 추가적으로 투입(도핑)한 전자의 농도입니다. 캐리어의 재결합은 전자, 정공 중 적은 개수와 비례하게 됩니다. 즉, 소수 캐리어의 농도와 비례하게 되지요. p형 반도체의 neutral .. 2023. 1. 24. 1. 3-5족 Compound Semiconductor LED, LED에서 질화물 반도체를 쓰는 이유와 한계점 이번 포스팅에서는 3-5족 Compound Semiconductor LED에 대해서 설명해 드리겠습니다. 저번 Intro 시간에서 재결합 시 Energy Bandgap에 해당되는 에너지의 빛이 방출된다는 사실을 알았습니다. 소재의 조성을 조절하여 Energy Bandgap을 바꿔 원하는 색깔의 빛을 내는 소자를 얻을 수 있습니다.식은 다음과 같습니다. Si LED?1.12eV의 Si 소재를 PN junction을 통해 Diode를 만들면 1107nm의 적외선 빛이 방출됩니다하지만 Si과 같은 4족 소재들은 파수가 다른 Indirect Bandgap이기 때문에 열 또한 발생하여 수명이 급격하게 줄게 됩니다.Indirect Bandgap 특성을 가진 4족 소재는 LED로 사용할 수 없습니다. Compou.. 2023. 1. 23. 이전 1 2 3 4 ··· 9 다음 반응형
