반도체 8대 공정/2. Oxide5 2.4 산화 공정) CMOS에서 사용되는 산화막, 유전체 (USG, PSG, BPSG), 증착 방식 CMOS 산화막 종류 USG(Undoped Silica Glass) 화학식 : TEOS((C2H5O)4Si) + 오존(O3) --> SiO2 불순물이 없다는 것이 가장 큰 장점입니다. BPSG(Borophosphorsilicate Glass) USG 공정에서 TMP(P(CH3O)3), TMB(B(CH3O)3)을 첨가하여 형성시킵니다. BPSG는 SiO2보다 절연 특성이 좋습니다. - 붕소 같은 경우, 850'C 고온에서 열처리를 실시하면 산화 막이 완만하게 되어 하층막 패턴에 의한 단차가 평탄화되기 때문에 사용합니다. - 인 같은 경우, 알칼리 이온을 포획하여 소자 특성에 나쁜 영향을 배제하기 위해 적용됩니다. 붕소 같은 경우는 간혹 수분과 반응하여 BPO4라는 결점을 생성시킬 수도 있기 때문에 PSG로.. 2022. 12. 3. 2-3 산화 공정) 열 산화 공정 Mechanism, Oxidation rate 변수 산화 공정 정리 글 2022.10.12 - [전자공학/2. Oxide] - 2. 산화 공정) 반도체 산화 공정 (feat. Gate Oxide) 2. 산화 공정) 반도체 산화 공정 (feat. Gate Oxide) 왜 '실리콘'이 반도체에 사용이 되며, '신의 물질'이라고 하는지 아시나요? 실리콘의 장점은 크게 3가지입니다. 1. 모래의 주 성분으로 지구에 엄청 많습니다. 집 앞 놀이터에도 모래가 엄청 많죠. yonsekoon.tistory.com 이 글은 위 글을 추가 설명하기 위해서 작성된 글입니다. 열 산화 공정의 Mechanism 산화 공정의 Mechanism에 대해서 자세히 살펴보겠습니다. 이 Mechanism을 통째로 'Deal-Groove Mechanism'이라고 합니다. Mechanism은.. 2022. 11. 23. 2-2 산화 공정) 유전율, high k, low k에 대해서 알아보자 산화 공정의 요약본 2022.10.12 - [전자공학/2. Oxide] - 2. 산화 공정) 반도체 산화 공정 (feat. Gate Oxide) 2. 산화 공정) 반도체 산화 공정 (feat. Gate Oxide) 왜 '실리콘'이 반도체에 사용이 되며, '신의 물질'이라고 하는지 아시나요? 실리콘의 장점은 크게 3가지입니다. 1. 모래의 주 성분으로 지구에 엄청 많습니다. 집 앞 놀이터에도 모래가 엄청 많죠. yonsekoon.tistory.com 유전율이란 무엇일까요? 유전율이란, 부도체 외부에서 전기장을 가했을 때 전하가 얼마나 잘 분극 되는지를 나타내는 척도입니다. 금속 같은 경우, 자유전자가 많기 때문에 외부 전기장을 걸어주면 전류가 흐릅니다. 따라서, 금속은 유전율이라는 개념이 존재하지 않습니다.. 2022. 11. 15. 2-1 산화 공정) 반도체 산업에서 산화막은 단결정일까 비정질일까? 산화 공정의 요약본 2022.10.12 - [전자공학/2. Oxide] - 2. 산화 공정) 반도체 산화 공정 (feat. Gate Oxide) 2. 산화 공정) 반도체 산화 공정 (feat. Gate Oxide) 왜 '실리콘'이 반도체에 사용이 되며, '신의 물질'이라고 하는지 아시나요? 실리콘의 장점은 크게 3가지입니다. 1. 모래의 주 성분으로 지구에 엄청 많습니다. 집 앞 놀이터에도 모래가 엄청 많죠. yonsekoon.tistory.com 결정질, 비정질 구분은 반도체 산업에서 매우 중요합니다. 결정질, 비정질이 뭔데? 단결정은 결정 방향이 일정하게 구성되어 있는 결정체를 말합니다. 즉, 결정 방향이 다른 부분, grain boundary가 존재하지 않죠. Grain boundary가 없기 때문.. 2022. 11. 14. 2. 산화 공정) 반도체 산화 공정 (feat. 습식 산화가 빠른 이유) 왜 '실리콘'이 반도체에 사용이 되며, '신의 물질'이라고 하는지 아시나요? 실리콘의 장점은 크게 3가지입니다. 1. 모래의 주 성분으로 지구에 엄청 많습니다. 집 앞 놀이터에도 모래가 엄청 많죠. 따라서 가격이 엄청 쌉니다. 2. 적당히 큰 에너지 밴드갭을 가지고 있어, 높은 온도에서도 동작이 가능합니다. 3. 고품질의 실리콘 산화막, 절연막을 얻기 매우 용이합니다. 그저 뜨거운 furnace에서 산소와 결합시키면 되니까요. GaAs 반도체는 산화물을 얻기 힘들어 발전이 어렵습니다. 오늘 포스팅할 내용은 이 '3번', SiO2입니다. 기본적인 내용만 다루겠습니다. Si on SiO2가 특별한 이유 Si on SiO2가 특별한 이유는 다음과 같습니다. 1. 실리콘에서 SiO2로 바꾸기 정말 쉽습니다. 2.. 2022. 10. 12. 이전 1 다음 반응형
