반도체 8대 공정/6. Metal3 6.2 Metal 공정) 후 단계 공정 확산 방지층, Contact hole, Via hole 후 단계 공정에서의 Metal 공정 후 단계 공정에서의 Metal 공정은 크게 Contact hole, Via hole을 채우는 단계입니다. - 층간 절연막을 뚫어 제1 금속층과 Si 기판 상 p, n 접합 확산 방지층을 만들거나 다결정 Si 전극을 연결하는 과정입니다. 즉, Contact hole과 W-Plug를 형성하는 단계입니다. - 각 금속 층 간 절연 역할을 하는 금속 층간 절연막을 뚫어 상 하부 금속층을 서로 연결하는 공정 단계를 말합니다. Via Hole, 다층 금속층, 최종 보호막을 형성하는 단계입니다. 확산 방지층, Contact hole Contact : 단위 소자의 전극에 수직으로 직접 연결되는 배선입니다. Al 배선 Contact hole은 Al(알루미늄)을 이용하여 채웠었습니다. .. 2022. 12. 13. 6.1 Metal 공정) 전 단계 공정 Silicide(실리사이드), Salicide(샐리사이드) 공정 전 단계 공정에서의 metal 공정 전 단계 공정은 크게 실리사이드, 살리사이드 공정으로 나뉩니다. 이 포스팅을 요약하면 다음과 같습니다. 실리사이드, 살리사이드, 폴리사이드를 공정하는 이유 MOSFET에서 식각, 증착 등의 patterning 필요 없이 매우 쉽게 공정을 진행할 수 있으며, 금속-반도체 접합 시 생기는 쇼트키 장벽 크기를 낮춰 오믹 컨택으로 만들어주며, 접촉 저항을 줄여줘 트랜지스터 속도 개선에 도움이 되기 때문입니다. 실리사이드(Silicide), 살리사이드(Salicide), 폴리사이드(Polycide) Si와 금속이 반응하여 안정한 금속(합금)이나 반도체 화합물을 형성하는 과정을 Silicide 공정이라고 합니다. FEOL에서 구성한 트랜지스터 단자들과 BEOL에서 만든 배선 사이.. 2022. 12. 13. 6. Metal) 금속 배선 공정 금속 배선 공정이란? 반도체 회로가 동작하기 위해 외부에서 전기적 신호를 가해줘야 합니다. 금속 배선 공정이란, 반도체 회로에 전기적 신호가 잘 전달되도록 전기길(금속길)을 연결하는 공정을 말합니다. 반도체 공정(포토, 식각, 이온 주입)등을 거쳐 만들어진 회로 패턴을 따라 금속배선을 이어 주는 공정을 말하지요. 즉, 증착 공정에서 금속을 증착하는 것의 확장 개념이라고 생각하시면 됩니다. 필요 금속 조건 필요 금속 조건은 다음과 같습니다. 1. Wafer와의 부착성이 좋아야 합니다. 금속이 wafer에 증착되었다가 어떠한 이유로 떨어지면 소자 동작이 어려워지죠. 2. 전기저항이 낮아야 합니다. 전기 저항이 높으면 줄 열이 발생될 수 있으며, 소자가 느려집니다. 3. 공정 후속 과정에서 금속선의 특성이 변.. 2022. 12. 13. 이전 1 다음 반응형
