8. Package) Package 공정

Wafer 공정부터 EDS 공정까지 공부를 진행하였습니다.

가공이 되지 않은 Wafer로부터 Transistor를 만들고, PMD, IMD, passivation 층을 증착 및 가공하여 칩(Chip) 제작을 완료하였습니다.

이 Chip을 PCB와 전기적으로 연결시켜야 비로소 반도체가 동작하게 됩니다. Package 공정을 통해 해결합니다.

반도체 chip에서 필요한 전원을 공급하고 반도체 chip과 메인 PCB 간의 신호 연결함은 물론 반도체 칩에서 발생되는 열을 방출하기 용이하게 만들어주며, 외부의 습기 및 불순물로부터 보호하게 만들어주는 공정입니다.

아래 그림을 보시면 이해하시기 매우 쉬워질 것입니다.

1. 전력 공급

2. 열 방출 (온도가 커짐에 따라 광 효율, 수명이 작아지고, 전자소자에 악영향을 끼칩니다.)

3. 신호 연결

4. 회로 보호

1. Wafer 절단

- Wafer mounting (Wafer 올리기)

- Wafer sawing

Scribing line을 통해 자르는 위치를 확인 후, diamond 칼 혹은 laser로 자르게 됩니다.

2. Die Attach

잘라진 chip을 완성된 제품의 기판에 삽입하고 납땜하여 전기적 회로를 구성합니다.

- 절단된 chip을 lead frame 혹은 PCB 위에 올립니다.

- Die bonder : 분리된 칩을 lead frame에 부착시키는 공정으로 충분한 접착력과 열전도, 전기 전도가 좋아야 합니다. Ag Epoxy를 많이 사용하지요.

3. Wire Bonding

기판과 Chip의 접점을 '가는 금선'을 사용하여 연결하는 공정입니다.

Wire은 공간을 많이 차지하고, 칩 끼리 쌓기도 힘들며 면적이 작아 Input 대비 Output이 매우 안 좋습니다. (I/O수가 안 좋습니다.)

이를 대체하기 위해 TSU 공정이 도입되었습니다.

Chip을 적층하고 수직으로 연결할 수 있도록 구멍을 Laser로 뚫고 거기에 Cu 같은 금속을 채워 넣는 공정입니다.

4. Molding

5. Package test

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