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반도체 8대 공정/반도체 분석장비

반도체 분석장비) EL 장비 (광학적 특성 측정 방식)

by SeH_ 2023. 1. 6.
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저번 시간에 광학적 특성 방식의 Photo Luminescence 장비를 실습하였습니다.

Luminescence 관련 이론 등은 바로 아래에 있으니, 잘 모르신다면 아래 링크를 클릭해서 보고 오시는 걸 권장합니다.

 

2023.01.02 - [반도체 공학/반도체 분석장비] - 반도체 분석장비) Photoluminescence PL 장비

 

반도체 분석장비) Photoluminescence PL 장비

PL은 광학적 특성을 측정하는 장비입니다. 이를 통해 Defect levels, impurity levels, 박막의 quality, target의 파장을 확인할 수 있습니다. PL 측정 용도 PL의 측정 용도는 반도체의 광학적 특성 및 조성, 불

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EL 장비

PL 장비레이저 등 을 통해 반도체를 발광시켜, 발광하는 빛의 파장을 분석하는 장비입니다.

EL 장비전압, 전류 등 전기를 통해 반도체를 발광시켜, 발광하는 빛의 파장을 분석하는 장비입니다.

발광하는 빛의 파장을 분석하는 장비이니, 광학적 특성 측정 방법라고 구분을 짓죠.

EL 장비는 대부분 전기를 통해 발광하는 LED를 측정할 때 사용합니다. 

광학적 특성 측정 방법은 다음과 같은 특성을 확인할 수 있습니다.

- Defect levels, Impurity levels, Quality of film, Target wavelength 


실험 장비

실험 장비는 다음과 같습니다. 

1. 프로브 스테이션(Probestation): 얇은 바늘을 이용하여 p형 반도체와 n형 반도체를 연결 후 반도체 장치의 내부 노드로부터 신호를 획득하는 데 사용합니다. 


2. 함수 발생기 (Function generator):  전자 신호인 파형을 발생시키기 위한 장치입니다. 

 

3. 소스 미터: 정확한 전압 및 전류 값을 지정할 수 있습니다.

 

위 : 함수 발생기 아래 : 소스미터




4. 세미컨덕터 파라미터 에널라이저(semiconductor parameter analyzer): 전압 및 전류를 가변 하는 장비로, 반도체 특성 항목 중 하나인  IV/CV-curve 측정을 위한 장비입니다.

5. 광파이버 : 프로브 스테이션에 함수 발생기, 소스미터, 세미컨덕터 파라미터 에널라이저로 발생한 전기를 연결하는 장치입니다. 

파란색 선


실험 과정


1. LED의 P형과 N형 전극을 프로브 스테이션에 접합시키고, 광파이버를 통해 반도체 기구를 연결시킵니다.
2. 소스 미터, 세미컨덕터 파라미터 에널라이저를 이용하여 순방향으로 전압을 인가, 조절하여 전류 및 빛의 세기를 관찰합니다.
3. 소스 미터, 세미컨덕터 파라미터 에널라이저를 이용하여 역방향으로 전압을 인가, 조절하여 전류 및 빛의 세기를 관찰합니다.
4. 이를 통해 전류-전압 전류-광 세기에 대한 값을 구하고 그래프를 유추하여, 본 수업에 배웠던 그래프와 같은지 확인합니다.

 


실험 결과

- 실험을 통해 순방향으로 문턱 전압 이상으로 전압을 가해주면 LED가 발광하게 되고, 전압이 세질수록 전류 및 빛의 세기가 커진다는 것을 알 수 있었습니다.

- 실험을 통해 역방향으로 3V의 전압을 인가했을 때, 전류가 흐르지 않는다는 이론과는 달리 000.001mA의 전류 값이 나왔습니다.

- 전압을 증가시켜봤을 때, 역방향 전압 60V을 인가했을 때 100mA의 매우 큰 전류 값이 나와 항복 현상을 확인할 수 있었습니다.

 

- 실험 중간에 함수발생기 장비를 통해 주기를 조절하여 pulse 구조 및 플리커 현상을 이해했습니다. 실제로 주기를 50Hz 이상 높이니 빛이 안 깜빡이는 것처럼 보였습니다.

 

 

전압-전류 그래프

실험했던 반도체는 450nm의 파장을 내는 LED임을 확인하였습니다. 

 

밴드갭을 계산해 보면, (4.13x10^-15eV-s)(3x10^8m/s)x10^9(nm/m)]/450(nm)=2.75eV, 2.75eV입다.

실험 때 사용하였던 발광층이 GaN(밴드갭 에너지 3.4eV)과 InN(밴드갭 에너지 0.7eV)을 적절히 혼합해서 만들었다는 것을 유추할 수 있었습니다.

 

따라서 GaN 혼합 퍼센트를 x라 가정하고 관계식을 세워 계산을 하면,

3.4eV * x/100 + 0.7eV(100-x)/100=2.75eV, x= 75.9%, 즉 실험 때 사용했던 발광층은 GaN 75.9%InN 24.1%로 구성되어 있는 발광층이라고 유추할 수 있습니다.

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