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7. EDS) EDS 공정 Intro 반도체 공정 후에 항상 하는 절차가 있습니다. 공정이 잘 되었는지 평가 및 분석을 진행하지요. 이러한 분석은 크게 3가지 단계로 나뉩니다. 1. Packaging 전에 test를 하는 EDS 공정 2. Packaging 후에 하는 Packaging test 3. 출하 전 하는 품질 test EDS 공정이란? EDS(electrical Die Sorting) 공정은 양품과 불량품을 선별하는 공정 단계입니다. Wafer, Package 상태에서 반도체 chip이 제 기능을 올바르게 수행하는지 확인 후, 불량 유무를 결정합니다. 수선할 가치가 있는 불량품이면, 수선합니다. 수선할 가치가 없는 불량품이면, Inking 표시를 통해 공정에서 제외됩니다. 반도체 칩의 검사 공정은 반도체 소자 생산에 있어.. 2022. 12. 14.
6.2 Metal 공정) 후 단계 공정 확산 방지층, Contact hole, Via hole 후 단계 공정에서의 Metal 공정 후 단계 공정에서의 Metal 공정은 크게 Contact hole, Via hole을 채우는 단계입니다. - 층간 절연막을 뚫어 제1 금속층과 Si 기판 상 p, n 접합 확산 방지층을 만들거나 다결정 Si 전극을 연결하는 과정입니다. 즉, Contact hole과 W-Plug를 형성하는 단계입니다. - 각 금속 층 간 절연 역할을 하는 금속 층간 절연막을 뚫어 상 하부 금속층을 서로 연결하는 공정 단계를 말합니다. Via Hole, 다층 금속층, 최종 보호막을 형성하는 단계입니다. 확산 방지층, Contact hole Contact : 단위 소자의 전극에 수직으로 직접 연결되는 배선입니다. Al 배선 Contact hole은 Al(알루미늄)을 이용하여 채웠었습니다. .. 2022. 12. 13.
6.1 Metal 공정) 전 단계 공정 Silicide(실리사이드), Salicide(샐리사이드) 공정 전 단계 공정에서의 metal 공정 전 단계 공정은 크게 실리사이드, 살리사이드 공정으로 나뉩니다. 이 포스팅을 요약하면 다음과 같습니다. 실리사이드, 살리사이드, 폴리사이드를 공정하는 이유 MOSFET에서 식각, 증착 등의 patterning 필요 없이 매우 쉽게 공정을 진행할 수 있으며, 금속-반도체 접합 시 생기는 쇼트키 장벽 크기를 낮춰 오믹 컨택으로 만들어주며, 접촉 저항을 줄여줘 트랜지스터 속도 개선에 도움이 되기 때문입니다. 실리사이드(Silicide), 살리사이드(Salicide), 폴리사이드(Polycide) Si와 금속이 반응하여 안정한 금속(합금)이나 반도체 화합물을 형성하는 과정을 Silicide 공정이라고 합니다. FEOL에서 구성한 트랜지스터 단자들과 BEOL에서 만든 배선 사이.. 2022. 12. 13.
6. Metal) 금속 배선 공정 금속 배선 공정이란? 반도체 회로가 동작하기 위해 외부에서 전기적 신호를 가해줘야 합니다. 금속 배선 공정이란, 반도체 회로에 전기적 신호가 잘 전달되도록 전기길(금속길)을 연결하는 공정을 말합니다. 반도체 공정(포토, 식각, 이온 주입)등을 거쳐 만들어진 회로 패턴을 따라 금속배선을 이어 주는 공정을 말하지요. 즉, 증착 공정에서 금속을 증착하는 것의 확장 개념이라고 생각하시면 됩니다. 필요 금속 조건 필요 금속 조건은 다음과 같습니다. 1. Wafer와의 부착성이 좋아야 합니다. 금속이 wafer에 증착되었다가 어떠한 이유로 떨어지면 소자 동작이 어려워지죠. 2. 전기저항이 낮아야 합니다. 전기 저항이 높으면 줄 열이 발생될 수 있으며, 소자가 느려집니다. 3. 공정 후속 과정에서 금속선의 특성이 변.. 2022. 12. 13.
플라즈마) 플라즈마의 모든 것 Intro 플라즈마는 반도체 공정을 공부하실 때 필수로 알아두셔야 하는 개념입니다. 플라즈마는 반도체 공정 중 '증착 공정', '식각 공정', 'cleaning 공정'에서 특히 많이 쓰입니다. 왜 쓰일까요? 위 세 가지 공정은 소스 가스들끼리의 반응, 소스 가스와 기판 표면끼리의 반응을 통해 이루어집니다. 이러한 반응들은 '에너지'가 필요합니다. 옛날엔 대부분 '열 에너지'를 통해 에너지를 공급했답니다. 하지만 열로 에너지를 공급하는 것은 아주 많은 단점이 있습니다. 전문 용어로 thermal budget이라고 하죠. 하부 소자가 높은 열 때문에 파괴되거나, crack이 생긴다거나... 이러한 문제는 반도체 소자에 매우 큰 악영향을 미치게 됩니다. 이러한 단점 때문에 '플라즈마' 로 에너지를 공급하는 것.. 2022. 12. 12.
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