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6.1 Metal 공정) 전 단계 공정 Silicide(실리사이드), Salicide(샐리사이드) 공정 전 단계 공정에서의 metal 공정 전 단계 공정은 크게 실리사이드, 살리사이드 공정으로 나뉩니다. 이 포스팅을 요약하면 다음과 같습니다. 실리사이드, 살리사이드, 폴리사이드를 공정하는 이유 MOSFET에서 식각, 증착 등의 patterning 필요 없이 매우 쉽게 공정을 진행할 수 있으며, 금속-반도체 접합 시 생기는 쇼트키 장벽 크기를 낮춰 오믹 컨택으로 만들어주며, 접촉 저항을 줄여줘 트랜지스터 속도 개선에 도움이 되기 때문입니다. 실리사이드(Silicide), 살리사이드(Salicide), 폴리사이드(Polycide) Si와 금속이 반응하여 안정한 금속(합금)이나 반도체 화합물을 형성하는 과정을 Silicide 공정이라고 합니다. FEOL에서 구성한 트랜지스터 단자들과 BEOL에서 만든 배선 사이.. 2022. 12. 13.
6. Metal) 금속 배선 공정 금속 배선 공정이란? 반도체 회로가 동작하기 위해 외부에서 전기적 신호를 가해줘야 합니다. 금속 배선 공정이란, 반도체 회로에 전기적 신호가 잘 전달되도록 전기길(금속길)을 연결하는 공정을 말합니다. 반도체 공정(포토, 식각, 이온 주입)등을 거쳐 만들어진 회로 패턴을 따라 금속배선을 이어 주는 공정을 말하지요. 즉, 증착 공정에서 금속을 증착하는 것의 확장 개념이라고 생각하시면 됩니다. 필요 금속 조건 필요 금속 조건은 다음과 같습니다. 1. Wafer와의 부착성이 좋아야 합니다. 금속이 wafer에 증착되었다가 어떠한 이유로 떨어지면 소자 동작이 어려워지죠. 2. 전기저항이 낮아야 합니다. 전기 저항이 높으면 줄 열이 발생될 수 있으며, 소자가 느려집니다. 3. 공정 후속 과정에서 금속선의 특성이 변.. 2022. 12. 13.
플라즈마) 플라즈마의 모든 것 Intro 플라즈마는 반도체 공정을 공부하실 때 필수로 알아두셔야 하는 개념입니다. 플라즈마는 반도체 공정 중 '증착 공정', '식각 공정', 'cleaning 공정'에서 특히 많이 쓰입니다. 왜 쓰일까요? 위 세 가지 공정은 소스 가스들끼리의 반응, 소스 가스와 기판 표면끼리의 반응을 통해 이루어집니다. 이러한 반응들은 '에너지'가 필요합니다. 옛날엔 대부분 '열 에너지'를 통해 에너지를 공급했답니다. 하지만 열로 에너지를 공급하는 것은 아주 많은 단점이 있습니다. 전문 용어로 thermal budget이라고 하죠. 하부 소자가 높은 열 때문에 파괴되거나, crack이 생긴다거나... 이러한 문제는 반도체 소자에 매우 큰 악영향을 미치게 됩니다. 이러한 단점 때문에 '플라즈마' 로 에너지를 공급하는 것.. 2022. 12. 12.
5.5) PVD의 이해 Intro Physical Vapor Deposition, PVD는 CVD와 같이 반도체에 막을 증착해주는 장치입니다. Target에 물리적인 힘으로 증착하고자 하는 target 금속을 기화시킨 후, 기화된 target 금속 원자들을 기판에 떨어트려 응결시켜 고체 박막이 증착되게 만드는 장치를 PVD라고 합니다. PVD는 주로 ‘금속 관련 박막 증착’에 사용되고 있으며, 이 마저도 CVD로 대체되는 중입니다.. 안녕 PVD PVD 특징 PVD는 대체적으로 고온, 고진공 공정입니다. 하지만 Uniformity, Step coverage가 매우 안 좋기 때문에 Sputter 공정 제외하고 잘 사용되지 않습니다. (Sputter는 그나마 Step coverage가 괜찮습니다.) 고온, 고진공인데 왜 Unifo.. 2022. 12. 11.
5.4 증착 공정) 증착 공정 변수, 증착 3대 조건, 증착 3대 문제 증착 공정 변수에 대해서 설명을 해드리겠습니다. 증착 공정 변수 1. Uniformity Wafer 전체에 일정한 두께로 Target material이 증착되어 있는가 에 대한 지표입니다. Uniformity가 좋지 않으면, 개별 칩 간 Vth 등의 특성 차이가 날 수 있습니다. 위 사진의 SiO2 층이 gate oxide면 소자 간 gate oxide 두께가 매우 다르겠죠. 얇으면 터널링이 일어날 수 있고, 너무 두꺼우면 유전 효과가 느려 소자 자체도 느려질 것입니다. 식각에서도 과식각/식각 x 문제로 인하여 후공정에서 오염물질로 작용할 수 있습니다. 2. Step coverage Uniformity가 얼마나 좋냐?를 객관적으로 나타내는 수치입니다. 반도체의 특정 막은 금속 등으로 하부 소자와 상부 소.. 2022. 12. 11.
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