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10. Cleaning) Cleaning 공정 반도체 소자의 고집적화에 따라 공정 스텝 수가 매우 증가하였습니다. 공정 스텝 수 증가에 따라 표면의 잔류물, 오염물 등 오염 문제가 심각해졌습니다.오염물, 잔류물은 반도체 소자에 어떠한 영향을 끼치는지 확인해 보겠습니다.  공정에 따른 오염물, 잔류물이 주는 영향Photo 공정 : particle들로 인해 패턴 전사를 제대로 진행하지 못해 전기적으로 쇼츠가 생길 수 있습니다. 증착 공정 : particle 증착, 오염된 부분은 하부 기판의 lattice를 따라 단결정으로 성장할 수 없게 됩니다.즉, 박막의 quality가 나빠지고, 박막 내 crack이 생길 수 있습니다. Etch 공정 : Etch 진행 후 반응물이 다 빠져나가지 않는다면 증착, 포토 공정 등의 차후 공정에서 문제가 생깁니다.  위 예.. 2022. 12. 14.
9. CMP 공정 CMP 공정 CMP 공정은 화학적 기계적 반응을 이용하여 반도체를 연마하는 공정으로, wafer의 한쪽 면을 연마하여 평탄하게 만드는 공정입니다. CMP 공정에서 기계적 작용 화학적 작용 둘 다 이용하는 이유는 다음과 같습니다. 기계적 작용 : 잘 갈리지만, 표면 손상 유발이 일어납니다. 화학적 작용 : 등방성(한쪽 방향이 아닌 모든 방향) 특성을 가져 일정 부분만 평탄화하기 어렵습니다. CMP 공정의 필요성 1. 반도체의 집적도가 높아지고 표면에 존재하는 crack, defect를 줄여줍니다. 2. 증착 공정에서 uniformity가 나쁜 박막을 좋게 만들어줘 개별 칩 간 차이가 발생하지 않게 만들어 줍니다. (Gate Oxide의 두께가 다 다르면 칩 간 특성이 다 다르겠죠.) 3. 식각 공정에서 u.. 2022. 12. 14.
8. Package) Package 공정 Intro Wafer 공정부터 EDS 공정까지 공부를 진행하였습니다. 가공이 되지 않은 Wafer로부터 Transistor를 만들고, PMD, IMD, passivation 층을 증착 및 가공하여 칩(Chip) 제작을 완료하였습니다. 이 Chip을 PCB와 전기적으로 연결시켜야 비로소 반도체가 동작하게 됩니다. Package 공정을 통해 해결합니다. Package 공정의 정의 반도체 chip에서 필요한 전원을 공급하고 반도체 chip과 메인 PCB 간의 신호 연결함은 물론 반도체 칩에서 발생되는 열을 방출하기 용이하게 만들어주며, 외부의 습기 및 불순물로부터 보호하게 만들어주는 공정입니다. 아래 그림을 보시면 이해하시기 매우 쉬워질 것입니다. Package의 4가지 기능 1. 전력 공급 2. 열 방출 (.. 2022. 12. 14.
7. EDS) EDS 공정 Intro 반도체 공정 후에 항상 하는 절차가 있습니다. 공정이 잘 되었는지 평가 및 분석을 진행하지요. 이러한 분석은 크게 3가지 단계로 나뉩니다. 1. Packaging 전에 test를 하는 EDS 공정 2. Packaging 후에 하는 Packaging test 3. 출하 전 하는 품질 test EDS 공정이란? EDS(electrical Die Sorting) 공정은 양품과 불량품을 선별하는 공정 단계입니다. Wafer, Package 상태에서 반도체 chip이 제 기능을 올바르게 수행하는지 확인 후, 불량 유무를 결정합니다. 수선할 가치가 있는 불량품이면, 수선합니다. 수선할 가치가 없는 불량품이면, Inking 표시를 통해 공정에서 제외됩니다. 반도체 칩의 검사 공정은 반도체 소자 생산에 있어.. 2022. 12. 14.
6.2 Metal 공정) 후 단계 공정 확산 방지층, Contact hole, Via hole 후 단계 공정에서의 Metal 공정 후 단계 공정에서의 Metal 공정은 크게 Contact hole, Via hole을 채우는 단계입니다. - 층간 절연막을 뚫어 제1 금속층과 Si 기판 상 p, n 접합 확산 방지층을 만들거나 다결정 Si 전극을 연결하는 과정입니다. 즉, Contact hole과 W-Plug를 형성하는 단계입니다. - 각 금속 층 간 절연 역할을 하는 금속 층간 절연막을 뚫어 상 하부 금속층을 서로 연결하는 공정 단계를 말합니다. Via Hole, 다층 금속층, 최종 보호막을 형성하는 단계입니다. 확산 방지층, Contact hole Contact : 단위 소자의 전극에 수직으로 직접 연결되는 배선입니다. Al 배선 Contact hole은 Al(알루미늄)을 이용하여 채웠었습니다. .. 2022. 12. 13.
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